Тарасов А.С.

Тарасов Антон Сергеевич, заведующий лабораторией радиоспектроскопии и спиновой электроники Института физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук (ИФ СО РАН), рассказал корреспонденту пресс-службы Красноярского научного центра СО РАН (КНЦ СО РАН), что электрическое сопротивление под действием магнитного поля в полупроводниковых структурах зависит от наличия примесей в кремниевых подложках. Ученые продемонстрировали, как добавки дополнительных примесей могут повысить эффективность и температурные условия проявления эффекта. Результаты исследования опубликованы в журнале Materials Science in Semiconductor Processing.